EMPro***型多入射角激光橢偏儀

MPro是針對高端研發(fā)和質(zhì)量控制領域推出的型多入射角激光橢偏儀。
EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設計實現(xiàn)了納米薄膜的相對厚度測量。
EMPro采用了量拓科技多項技術。
特點：
原子層量的靈敏度
采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量的極薄納米薄膜，膜厚精度達到0.01nm，折射率精度達到0.0001。
百毫秒量的快速測量
水準的儀器設計，在保證精度和準確度的同時，可在幾百毫秒內(nèi)快速完成一次測量，可滿足單原子膜層生長的實時測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設置。
應用：
EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
EMPro可應用的納米薄膜領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?？蓱玫膲K狀材料領域包括：固體（金屬、半導體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。

技術指標：

 

項目	技術指標
儀器型號	EMPro31
激光波長	632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚測量重復性（1）	0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測量重復性(1)	1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測量時間	與測量設置相關，典型0.6s
結(jié)構	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度）
激光光束直徑	1mm
入射角度	40°-90°可手動調(diào)節(jié)，步進5°
樣品方位調(diào)整	Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° 樣品對準：光學自準直和顯微對準系統(tǒng)
樣品臺尺寸	平面樣品直徑可達Φ170mm
大的膜層范圍	透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關
大外形尺寸	887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
儀器重量（凈重）	25Kg
選配件	水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺 真空吸附泵
軟件	ETEM軟件： l 中英文界面可選； l 多個預設項目供快捷操作使用； l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合； l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持

   注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。
性能保證：
高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、采樣方法以及低噪聲探測技術，保證了高穩(wěn)定性和高準確度
高精度的光學自準直系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對準
穩(wěn)定的結(jié)構設計、可靠的樣品方位對準，結(jié)合采樣技術，保證了快速、穩(wěn)定測量
分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和相對厚度的測量
一體化集成式的儀器結(jié)構設計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間
一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用
 準確度測試：
在入射角40°~85°范圍內(nèi)對Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測量值和理論擬合值如下圖所示：

可選配件：
 NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
 NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
 VP01真空吸附泵
 VP02真空吸附泵
 樣品池