ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統(tǒng)

 ETSys-Map-PV是針對高端薄膜太陽電池研發(fā)和質量控制領域中大面積樣品檢測專門設計的在線薄膜測量系統(tǒng)。
    ETSys-Map-PV用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽電池樣品進行在線檢測。可測量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜，包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；并可同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k?？蓽y量樣品上區(qū)域的樣品參數(shù)以及樣品表面的均一性分布。
    ETSys-Map-PV融合量拓科技在高精度激光橢偏儀及光伏在太陽能電池領域的技術和產(chǎn)品設計方面的經(jīng)驗。
特點:
大面積絨面樣品上全表面測量
可對大面積絨面薄膜太陽電池樣品上各點的性質進行分析和比較。光能量增強技術、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法，實現(xiàn)了對粗糙表面散射為主和反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。
微米量的全面積掃描精度
系統(tǒng)設計，能夠使探頭到達樣品上每個點，掃描精度達到微米量。
原子層量的膜厚分析精度
采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術，對納米薄膜達到的測量準確度和靈敏度，膜厚測量靈敏度可達到0.05nm。
簡單方便安全的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設置。
應用:
      ETSys-Map-PV適合于高精度要求的薄膜太陽電池研發(fā)和質量控制。
  ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽電池樣品上單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；
  ETSys-Map-PV可用于測量塊狀材料的折射率n及消光系數(shù)k；
  ETSys-Map-PV可應用于：
大面積薄膜太陽電池基底的材料測量
薄膜太陽電池玻璃基底上透明導電氧化物（TCO）鍍膜測量
 

技術指標:

項目	技術指標
系統(tǒng)型號	ETSys-Map-PV
結構類型	在線式
激光波長	632.8nm (He-Ne laser)
膜厚測量重復性（1）	0.05nm (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率n精度（1）	5x10-4  (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
結構	PSCA
激光光束直徑	~1 mm
入射角度	60°-75°可選
樣品放置	放置方式：水平 運動：X軸單方向運動 運動范圍：>1.4m 三維平移調節(jié) 二維俯仰調節(jié) 可對樣品進行掃描測量
樣品臺尺寸	1.4m*1.1m，并可定制。
測量速度	典型0.6s-4s /點（取決于樣品種類及測量設置）
大的膜層厚度測量范圍	光滑平面樣品：透明薄膜可達4000nm，吸收薄膜與材料性質相關
選配件	樣品監(jiān)視系統(tǒng) 自動樣品上片系統(tǒng)

  注：（1）測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。
性能保證
高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高精度的采樣方法以及低噪聲探測技術，保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準確度
穩(wěn)定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合的采樣技術，保證了快速、穩(wěn)定測量
一體化集成式的結構設計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高
一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用
 可選配件：
 NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
 NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片